机译:基于SCR的基于SCR的ESD保护器件的深亚微米CMOS技术设计
机译:基于SCR的基于SCR的ESD保护器件的深亚微米CMOS技术设计
机译:采用深亚微米CMOS技术的PMOS触发SCR器件实现ESD初始保护概念
机译:动态浮栅设计可在0.35 / splμ/ m CMOS单元库中提供输出ESD保护
机译:CMOS技术中的宽带射频集成电路的设计和ESD保护。
机译:具有嵌入式PMOSFET的鲁棒和锁定的免疫LVTSCR器件用于28 nm CMOS过程中的ESD保护
机译:设计避免深亚微米CmOs工艺中对EsD保护电路的过栅驱动效应